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成果简介近日，阿根太原理工大学郝阳和郝玉英（共同通讯作者）等人报道了他们通过将纯相的二维半导体MoSe2纳米片作为添加剂引入PbI2前驱体溶液中，阿根达到了提高Pbl2转化率，改善PVK薄膜形貌和结晶性，同时降低残余应力，调控PVK能级的效果。结果表明，廷当统米添加二维MoSe2纳米片的PSCs的平均光电转换效率（PCE）由标准器件的19.40%提高到21.76%，最优PCE达到22.80%。

并且，贺电能够有效地降低器件的陷阱态密度。低结晶度的多孔PbI2薄膜可为FAI/MAI提供良好的扩散通道,有助于PbI2完全转化，习近选总很大程度上消除了PbI2残留，增加了PVK的晶粒尺寸和结晶度。因此，阿根促进PbI2完全转化，对PVK薄膜形貌和结晶性进行改善，释放残余拉伸应力，同时对钙钛矿能级进行调控。

作者发现MoSe2纳米片掺杂的PVK薄膜具有更好的结晶性以及更大的晶粒尺寸，廷当统米这些特性有效抑制了非辐射复合，提高了开路电压。然而，贺电通常溶解在二甲基甲酰胺(DMF)溶液中的碘化铅(Pbl2)倾向于在基底上形成层状致密膜，这不利于PbI2与FAI/MAI的反应，从而导致PbI2残留。

作者最后进行了一系列电学表征，习近选总结果表明MoSe2纳米片的掺杂对器件的载流子复合有明显的抑制作用。

同时，阿根MoSe2纳米片掺杂的PSCs稳定性也得到了提升。仁朝产品以HI办公为主题，廷当统米产品外观清新，富有现代感。

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